[8a-A33-1~11] 17.1 Growth, Assembly, Structure control

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-A33-5] Evaluation of 3D Structure Coverage of WS₂ Thin Films by Atomic Layer Deposition

〇Minori Kaneko¹, Sota Higashi¹, Hideaki Machida², Masato Ishikawa², Hiroshi Sudoh², Hitoshi Wakabayashi³, Naomi Sawamoto^1,4, Atsushi Ogura^1,4 (1.School of Sci. and Tech., Meiji Univ., 2.Gas-phase Growth Ltd., 3.Science Tokyo, 4.Meiji Renewable Energy Laboratory, Meiji Univ.)

Keywords:

TMDC,WS2,ALD

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)の一種であるWS₂は、高いキャリア移動度や層数依存のバンドギャップを有することから、次世代半導体デバイス材料として注目されており、近年では３次元構造デバイスへの応用が期待されている。本研究では平坦Si基板およびトレンチ構造基板にALDにより成膜を行い、原料供給パルス時間が膜厚およびトレンチ基板への成膜に与える影響を評価した。