講演情報
[8a-A33-5]原子層堆積法によるWS2薄膜の3次元構造への被覆性評価
〇金子 海紀1、東 奏太1、町田 英明2、石川 真人2、須藤 弘2、若林 整3、澤本 直美1,4、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.気相成長株式会社、3.東京科学大、4.明治大MREL)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化タングステン、原子層堆積法
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)の一種であるWS2は、高いキャリア移動度や層数依存のバンドギャップを有することから、次世代半導体デバイス材料として注目されており、近年では３次元構造デバイスへの応用が期待されている。本研究では平坦Si基板およびトレンチ構造基板にALDにより成膜を行い、原料供給パルス時間が膜厚およびトレンチ基板への成膜に与える影響を評価した。