Presentation Information
[8a-A33-6]Evolution of epitaxial orientation with growth time in monolayer WS2 on sapphire substrates
〇Shunnosuke Murakami1,2, Ryotaro Sakakibara1, Ryutaro Nishino3, Naoya Okada3, Toshifumi Irisawa3, Yasumitsu Miyata1,2 (1.NIMS, 2.Tokyo Metro. Univ., 3.AIST)
Keywords:
chemical vapor deposition,transition metal dichalcogenide,sapphire
本研究では、p型チャネル材料として期待される単層WS2の単結晶膜の形成に向け、WF6およびH2Sを用いたガス原料CVD成長における結晶配向の成長時間依存性を調べた。面内X線回折測定により、WS2とサファイアの間には0°および30°回転した二つの方位関係が存在することを確認した。さらに、成長時間の増加に伴い30°配向のWS2の回折強度はほぼ一定であるのに対し、0°配向の強度が明確に増大することを見いだした。