講演情報
[8a-A33-6]サファイア上単層WS2のエピタキシャル配向の成長時間依存性
〇村上 隼之亮1,2、榊原 涼太郎1、西野 隆太郎3、岡田 直也3、入沢 寿史3、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大理、3.産総研)
キーワード：
化学気相成長法、遷移金属ダイカルコゲナイド、サファイア
本研究では、p型チャネル材料として期待される単層WS2の単結晶膜の形成に向け、WF6およびH2Sを用いたガス原料CVD成長における結晶配向の成長時間依存性を調べた。面内X線回折測定により、WS2とサファイアの間には0°および30°回転した二つの方位関係が存在することを確認した。さらに、成長時間の増加に伴い30°配向のWS2の回折強度はほぼ一定であるのに対し、0°配向の強度が明確に増大することを見いだした。