[8a-PB4-1~8] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[8a-PB4-1] Performance enhancement of GeSn-based RTD by improving interface flatness

〇Shigehisa Shibayama¹, Shota Torimoto¹, Mitsuo Sakashita¹, Masashi Kurosawa¹, Osamu Nakatsuka^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

GeSn,GeSiSn,RTD

Beyond 5Gを担うテラヘルツ技術において、Siプロセスと親和性が高く、無毒、低コストな共鳴トンネルダイオード(RTD)発振器実現に向けて、GeSn/GeSiSn RTD実現が重要である。本研究では、GeSn/GeSiSn二重障壁構造の界面平坦性を大幅改善する2つの技術を新たに開発し、RTDの性能であるピーク電流密度(PCD)を、従来比約50倍以上の~114 kA/cm2を実現した。