講演情報
[8a-PB4-1]GeSn系共鳴トンネルダイオードの界面平坦性改善による性能向上
〇柴山 茂久1、鳥本 昇汰1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
キーワード：
GeSn、GeSiSn、共鳴トンネルダイオード
Beyond 5Gを担うテラヘルツ技術において、Siプロセスと親和性が高く、無毒、低コストな共鳴トンネルダイオード(RTD)発振器実現に向けて、GeSn/GeSiSn RTD実現が重要である。本研究では、GeSn/GeSiSn二重障壁構造の界面平坦性を大幅改善する2つの技術を新たに開発し、RTDの性能であるピーク電流密度(PCD)を、従来比約50倍以上の~114 kA/cm2を実現した。