Presentation Information
[8a-PB4-3]barrier thickness dependence of between peak to valley current ratio and endurance in room temperature negative differential resistance of p type si caf2 resonant tunneling diodes
〇Yuji Ishikawa1, Igari syu1, Kobayashi Takahiro1, Goto Kaito1, Watanabe Masahiro1 (1.Science Tokyo)
Keywords:
semiconductor,quantum effect devices,thin film growth
Si/CaF2ヘテロ構造を用いた共鳴トンネルダイオードは室温で高いピーク対バレー電流比（PVCR）を示す.先行研究では成長温度の最適化で繰り返し耐性が向上した一方,リーク電流増加によるPVCRの劣化が課題となった.本研究では成長温度を固定し,障壁膜厚をパラメータとしてPVCRと繰り返し耐性のトレードオフ関係を解明.これらを両立する最適な障壁層膜厚の評価を行った.