講演情報
[8a-PB4-3]p型Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性におけるピーク対バレー電流比と繰り返し耐性の障壁膜厚依存性
〇石川 友志1、猪狩 秀1、小林 隆弘1、後藤 海渡1、渡辺 正裕1 (1.科学大工)
キーワード：
半導体、量子効果デバイス、薄膜成長
Si/CaF2ヘテロ構造を用いた共鳴トンネルダイオードは室温で高いピーク対バレー電流比（PVCR）を示す.先行研究では成長温度の最適化で繰り返し耐性が向上した一方,リーク電流増加によるPVCRの劣化が課題となった.本研究では成長温度を固定し,障壁膜厚をパラメータとしてPVCRと繰り返し耐性のトレードオフ関係を解明.これらを両立する最適な障壁層膜厚の評価を行った.