Presentation Information
[8a-PB4-4]Influences of Al2O3 substrate orientation and temperature on the epitaxial growth of Ru thin film
〇Haruki Tomioka1, Kosuke Imamura1, Satoshi Tsuneizumi1, Naoki Isogai1, Tomoya Nakatani2, Mitsuru Ohtake1 (1.Yokohama Nat. Univ., 2.NIMS)
Keywords:
ruthenium,epitaxial growth,sapphire
集積回路の微細配線材料の候補のひとつとして注目されているRu薄膜を、Al2O3単結晶基板上に形成し、基板方位と温度がエピタキシャル成長に及ぼす影響を調べた。各基板面ごとにエピタキシャル方位関係を持つ複数のバリアントが形成され、温度によってバリアントの選択性が変化した。