講演情報
[8a-PB4-4]Ru薄膜のエピタキシャル成長に及ぼすAl2O3基板方位と温度の影響
〇冨岡 治樹1、今村 光佑1、常泉 聡史1、磯貝 直希1、中谷 友也2、大竹 充1 (1.横浜国大、2.NIMS)
キーワード：
ルテニウム、エピタキシャル成長、サファイア
集積回路の微細配線材料の候補のひとつとして注目されているRu薄膜を、Al2O3単結晶基板上に形成し、基板方位と温度がエピタキシャル成長に及ぼす影響を調べた。各基板面ごとにエピタキシャル方位関係を持つ複数のバリアントが形成され、温度によってバリアントの選択性が変化した。