Presentation Information
[8a-PB4-5]Study on epitaxial growth conditions for Cu3N thin films by reactive sputtering
〇Karin Kubota1, Kosuke Imamura1, Satoshi Tsuneizumi1, Naoki Isogai1, Mitsuru Ohtake1 (1.Yokohama Nat. Univ.)
Keywords:
copper nitride,epitaxial growth
窒化銅Cu3NはAサイト欠損ペロブスカイト型構造を有す半導体材料であるが，準安定相であるため，結晶性や物性値にばらつきが生じる．そのため，エピタキシャル成長条件の検討が重要と考えられる．本研究では，RFマグネトロン・スパッタリング法を用いて，単結晶基板上にCu-N薄膜を形成し，エピタキシャル成長条件を検討した．その結果，Cu(001)単結晶下地層上にCu3N(001)膜が単結晶膜としてエピタキシャル成長できることを明らかにした．