講演情報
[8a-PB4-5]Cu3N薄膜の反応性スパッタリング法によるエピタキシャル成長条件の検討
〇久保田 華鈴1、今村 光佑1、常泉 聡史1、磯貝 直希1、大竹 充1 (1.横浜国大)
キーワード：
窒化銅、エピタキシャル成長
窒化銅Cu3NはAサイト欠損ペロブスカイト型構造を有す半導体材料であるが，準安定相であるため，結晶性や物性値にばらつきが生じる．そのため，エピタキシャル成長条件の検討が重要と考えられる．本研究では，RFマグネトロン・スパッタリング法を用いて，単結晶基板上にCu-N薄膜を形成し，エピタキシャル成長条件を検討した．その結果，Cu(001)単結晶下地層上にCu3N(001)膜が単結晶膜としてエピタキシャル成長できることを明らかにした．