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[8p-B11-2]Plasma etching of SiO2 ~ion species, barrier layer, and damage mitigation~
〇Shota Nunomura1, Yusuke Imai2, Shih-Nan HSIAO2, Takayoshi Tsutsumi2, Masaru Hori2 (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)
Keywords:
plasma etching,SiO2,damage
先端NANDフラッシュメモリやMOSトランジスタ（GAAFET等）の製造において、プラズマエッチング技術は極めて重要な役割を担う。通常、これらのデバイスでは、絶縁膜やシリコンを設計に応じて加工（プラズマエッチング）し三次元微細構造を形成する。しかし、このエッチングにおいて、ホールやトレンチの周辺にダメージが形成され、デバイス性能が低下することが懸念されている。そのため、高性能・低消費電力デバイスの製造のためにレスダメージエッチングが必要である。今回、シリコンウエハ（Si）上の酸化膜（SiO2）のプラズマエッチングを、ガス種（CF4, C4F8, or HF）、エッチ温度（25℃or-50℃）を変えて実験を行い、ダメージ形成におけるイオン種と保護膜の効果を比較調査したので報告する。