講演情報
[8p-B11-2]酸化膜プラズマエッチング～イオン種、保護膜とダメージ緩和～
〇布村 正太1、今井 祐輔2、HSIAO Shih-Nan2、堤 隆嘉2、堀 勝2 (1.産総研、2.名大)
キーワード：
プラズマエッチング、酸化膜、ダメージ
先端NANDフラッシュメモリやMOSトランジスタ（GAAFET等）の製造において、プラズマエッチング技術は極めて重要な役割を担う。通常、これらのデバイスでは、絶縁膜やシリコンを設計に応じて加工（プラズマエッチング）し三次元微細構造を形成する。しかし、このエッチングにおいて、ホールやトレンチの周辺にダメージが形成され、デバイス性能が低下することが懸念されている。そのため、高性能・低消費電力デバイスの製造のためにレスダメージエッチングが必要である。今回、シリコンウエハ（Si）上の酸化膜（SiO2）のプラズマエッチングを、ガス種（CF4, C4F8, or HF）、エッチ温度（25℃or-50℃）を変えて実験を行い、ダメージ形成におけるイオン種と保護膜の効果を比較調査したので報告する。