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2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-B11-3]Quantitative Evaluation Method of Plasma-induced Damage in PECVD SiO₂ Films using Discharge Current Transient Spectroscopy (DCTS): ΔQ_dcts Method

〇Kei Seki¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

Plasma-Induced Damage,Transient current analysis,Ion irradiation

半導体微細加工に用いられるプラズマプロセスでは，材料表面に対するプラズマ誘起ダメージ（PID）が問題となっている．PID評価として，MOS構造の電気特性評価が行われてきた．本研究では，過渡電流解析手法（DCTS）をPECVD SiO₂膜へのPID欠陥解析に応用した．まず，過渡電流の積分値を欠陥密度の指標として，PID欠陥の定量評価を行った（ΔQ_dcts法）．さらに，ラプラス変換アルゴリズムを用いた解析を行い，PID欠陥のエネルギー深さ分布を議論する．

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[8p-B11-3]Quantitative Evaluation Method of Plasma-induced Damage in PECVD SiO2 Films using Discharge Current Transient Spectroscopy (DCTS): ΔQdcts Method

Keywords:

[8p-B11-3]Quantitative Evaluation Method of Plasma-induced Damage in PECVD SiO₂ Films using Discharge Current Transient Spectroscopy (DCTS): ΔQ_dcts Method