講演情報
[8p-B11-3]過渡電流解析による絶縁膜へのプラズマダメージ定量評価：ΔQdcts法
〇関 馨1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)
キーワード：
プラズマ誘起ダメージ、過渡電流解析、イオン照射
半導体微細加工に用いられるプラズマプロセスでは，材料表面に対するプラズマ誘起ダメージ（PID）が問題となっている．PID評価として，MOS構造の電気特性評価が行われてきた．本研究では，過渡電流解析手法（DCTS）をPECVD SiO2膜へのPID欠陥解析に応用した．まず，過渡電流の積分値を欠陥密度の指標として，PID欠陥の定量評価を行った（ΔQdcts法）．さらに，ラプラス変換アルゴリズムを用いた解析を行い，PID欠陥のエネルギー深さ分布を議論する．