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2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-B11-4]Investigation of interfacial structural changes in high-k/metal gate stacks induced by nitrogen radical treatment after TiN deposition

〇Mizuki Yano¹, Honoka Kido¹, Hiroki Kondo¹ (1.Kyushu Univ. ISEE)

Keywords:

Gate stack structure,Metal Oxide Semiconductor,Post-deposition treatment

ナノシート世代の metal gate/high-k ゲートスタックにおける界面プロファイル制御手法として, イオン成分を除去したラジカルのみによるTiN成膜後における窒素ラジカル処理を検討した。TiN/HfO₂/SiO₂/Si 構造に対する窒素ラジカル後処理により, TiN 内部およびTiN/HfSiO界面における窒素導入が示唆された. 本講演では，窒素ラジカル照射による界面構造変化および照射時間依存性について詳しく報告する.

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