講演情報
[8p-B11-4]TiN成膜後の窒素ラジカル処理によるhigh-k/Metal gateゲートスタック界面構造変化の解明
〇矢野 瑞紀1、城戸 ほの佳1、近藤 博基1 (1.九大シス情)
キーワード：
ゲートスタック構造、MOS、成膜後処理
ナノシート世代の metal gate/high-k ゲートスタックにおける界面プロファイル制御手法として, イオン成分を除去したラジカルのみによるTiN成膜後における窒素ラジカル処理を検討した。TiN/HfO2/SiO2/Si 構造に対する窒素ラジカル後処理により, TiN 内部およびTiN/HfSiO界面における窒素導入が示唆された. 本講演では，窒素ラジカル照射による界面構造変化および照射時間依存性について詳しく報告する.