[8p-B11-1~16] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-B11-8] Effects of O₂ Addition on Highly Selective SiOCN Etching Using NF₃-based Plasma

〇Takahiro Goya¹, Masanaga Fukasawa¹, Yoshihiro Hayashi¹ (1.SFRC AIST)

Keywords:

Plasma,Highly selective etching,Isotropic etching

三次元構造トランジスタの作製には等方的な超高選択ドライエッチング技術が不可欠である。Gate-All-Around FET(GAAFET)世代以降で導入されたインナースペーサーには低誘電率SiOCNが用いられるが、その高選択エッチングには添加H₂およびO₂ガスの高精度制御が重要である。本発表では、NF₃系プラズマを用いたSiOCNエッチング機構における添加O₂効果を調べた。