講演情報
[8p-B11-8]NF3系プラズマを用いたSiOCN高選択エッチングにおける添加O2効果
〇郷矢 崇浩1、深沢 正永1、林 喜宏1 (1.産総研 先端半導体研究センター)
キーワード：
プラズマ、高選択エッチング、等方性エッチング
三次元構造トランジスタの作製には等方的な超高選択ドライエッチング技術が不可欠である。Gate-All-Around FET(GAAFET)世代以降で導入されたインナースペーサーには低誘電率SiOCNが用いられるが、その高選択エッチングには添加H2およびO2ガスの高精度制御が重要である。本発表では、NF3系プラズマを用いたSiOCNエッチング機構における添加O2効果を調べた。