[8p-E218-1~12] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[8p-E218-1] Bias dependence of circularly polarized photoluminescence properties of a GaInNAs quantum well sandwiched between GaNAs quantum wells

〇Kyota Nakadate¹, Hiroto Kise¹, Ayano Morita¹, Eita Tagawa¹, Yuma Suzuki¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹, Satoshi Hiura¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:

dilute nitride semiconductor,quantum well,electron spin polarization

室温でスピン偏極増幅可能な希薄窒化GaNAsで発光効率が高いGaInNAs量子井戸(QW)を挟んだ電界効果型光スピンデバイスにおける、円偏光発光特性の印加電圧依存性を評価した。室温PL測定の結果、負バイアス時より0V付近で発光強度と円偏光度(CPD)が向上し、GaNAs層が厚い試料は薄い試料より両値が低下した。これは層内の欠陥準位増加で励起子が減少し、スピン偏極増幅機能が低下したためと考えられる。