[8p-E218-1~12] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

13:30 〜 13:45

[8p-E218-1] GaNAs量子井戸で挟まれたGaInNAs量子井戸における円偏光発光特性の印加電圧依存性

〇中舘 恭太¹、木瀬 寛都¹、森田 彩乃¹、多川 英汰¹、鈴木 悠馬¹、高山 純一¹、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

希薄窒化物半導体、量子井戸、電子スピン偏極率

室温でスピン偏極増幅可能な希薄窒化GaNAsで発光効率が高いGaInNAs量子井戸(QW)を挟んだ電界効果型光スピンデバイスにおける、円偏光発光特性の印加電圧依存性を評価した。室温PL測定の結果、負バイアス時より0V付近で発光強度と円偏光度(CPD)が向上し、GaNAs層が厚い試料は薄い試料より両値が低下した。これは層内の欠陥準位増加で励起子が減少し、スピン偏極増幅機能が低下したためと考えられる。