[8p-E218-1~12] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[8p-E218-8] Characterization of vertical gate-all-around tunnel FET using a modulation-doped InGaAs nanowire/Si junction on SOI

〇Kai Fujimoto^1,2, Keita Taniyama^1,2, Yuki Azuma^1,2, Katsuhiro Tomioka^1,2 (1.Hokkaido Univ., 2.RCIQE)

Keywords:

nanowire,Tunnel FET,III-V

量子トンネル輸送を変調するTFETは、60 mV/桁を下回る急峻なサブスレッショルド係数(SS)により低電圧動作が可能なスイッチ素子として期待されている。しかし、TFETの回路応用には、トンネル確率に起因する低いオン電流や、急峻なSSが限られた電流範囲でしか得られないなどの課題が山積している。本研究では、回路応用に向けて、SOI(111)上の変調ドープ型InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ選択成長とVGAA-TFET素子の作製・評価を行ったので報告する。