講演情報
[8p-E218-8]SOI上の変調ドープ型InGaAsナノワイヤ/Si接合縦型ゲートオールアラウンドトンネルFETの評価
〇藤本 開1,2、谷山 慶太1,2、東 佑樹1,2、冨岡 克広1,2 (1.北海道大、2.RCIQE)
キーワード：
ナノワイヤ、トンネルFET、III-V
量子トンネル輸送を変調するTFETは、60 mV/桁を下回る急峻なサブスレッショルド係数(SS)により低電圧動作が可能なスイッチ素子として期待されている。しかし、TFETの回路応用には、トンネル確率に起因する低いオン電流や、急峻なSSが限られた電流範囲でしか得られないなどの課題が山積している。本研究では、回路応用に向けて、SOI(111)上の変調ドープ型InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ選択成長とVGAA-TFET素子の作製・評価を行ったので報告する。