[8p-E301-1~22] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

12:15 PM - 12:30 PM JST(3:15 AM - 3:30 AM UTC)

[8p-E301-1] Evaluation of Pressure Response in ZnO Pressure Sensors with MBE-Grown Mg_xZn_1-xO Thin Films

〇Haruyuki Endo¹ (1.Tohoku Gakuin Univ.)

Keywords:

MgxZn1-xO,piezoelectric device

本研究では、MBE法により成膜したMg_xZn_1-xO薄膜、そのMg_xZn_1-xO薄膜を積層して作製した圧力センサチップの諸特性、さらに表面実装型パッケージ（SMD-PKG）に実装して圧力応答性評価を行った結果について報告する。