[8p-E301-1~22] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

12:15 〜 12:30

[8p-E301-1] MBE法によりMg_xZn_1-xO薄膜を積層したZnO圧力センサの圧力応答評価

〇遠藤 治之¹ (1.東北学院大)

キーワード：

MgxZn1-xO、圧電素子

本研究では、MBE法により成膜したMg_xZn_1-xO薄膜、そのMg_xZn_1-xO薄膜を積層して作製した圧力センサチップの諸特性、さらに表面実装型パッケージ（SMD-PKG）に実装して圧力応答性評価を行った結果について報告する。