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[8p-E301-11]Quantum Chemical Analysis of Mist CVD Process for Growth of Ga2O3
〇Koshi Shimazaki1, Shizuo Fujita1, Kentaro Kaneko2, Isao Takahashi2, Katsuhisa Tanaka1 (1.Kyoto Univ., 2.Ritsumeikan Univ.)
Keywords:
mist CVD,Ga2O3,quantum chemical calculation
酸化ガリウムはワイドバンドギャップ半導体の一種であり、特にα-Ga2O3薄膜の成長にはミストCVD法が有効である。しかし、ミストCVD法における結晶成長メカニズムについては不明な点が多い。本研究では、原料溶液からGa2O3薄膜が生成する一連のプロセスのうち、薄膜成長直前の基板表面付近の気相状態での化学反応に着目し、量子化学計算を用いて、平衡状態で存在しうる化学種の安定性を議論した。