講演情報
[8p-E301-11]ミストCVD法によるGa2O3生成過程の量子化学的解析
〇島崎 光史1、藤田 静雄1、金子 健太郎2、高橋 勲2、田中 勝久1 (1.京大、2.立命館大)
キーワード：
ミストCVD、Ga2O3、量子化学計算
酸化ガリウムはワイドバンドギャップ半導体の一種であり、特にα-Ga2O3薄膜の成長にはミストCVD法が有効である。しかし、ミストCVD法における結晶成長メカニズムについては不明な点が多い。本研究では、原料溶液からGa2O3薄膜が生成する一連のプロセスのうち、薄膜成長直前の基板表面付近の気相状態での化学反応に着目し、量子化学計算を用いて、平衡状態で存在しうる化学種の安定性を議論した。