Presentation Information
[8p-E301-13]Electrical characteristics of vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes using impurity-reduced thin films grown by mist CVD
〇Yuki Isobe1, Yuki Yamamoto2, Takeru Wakamatsu1, Shigenori Shimizu2, Takashi Nishinoiri3, Kensuke Mizukoshi3, Toshinori Taishi4, Keigo Hoshikawa4, Shizuo Fujita1, Kentaro Kaneko5, Isao Takahashi5, Katsuhisa Tanaka1 (1.Kyoto Univ., 2.Oxide Corp., 3.Ceratech Japan Corp., 4.Shinshu Univ., 5.Ritsumeikan Univ.)
Keywords:
Gallium Oxide,mist CVD
ミストCVD法において、我々は課題であったSi不純物の取り込みを抑え、キャリア密度を1016 cm−3台まで低減することに成功している。本研究では、キャリア密度を低減したβ-Ga2O3薄膜を用いて、縦型ショットキーバリアダイオードの試作し、その電気的特性を評価した。