講演情報
[8p-E301-13]ミストCVD法により成長した不純物低減β-Ga2O3薄膜を用いた縦型ショットキーバリアダイオードの電気的特性
〇磯部 優貴1、山本 裕貴2、若松 岳1、清水 成宜2、西野入 隆3、水越 健輔3、太子 敏則4、干川 圭吾4、藤田 静雄1、金子 健太郎5、高橋 勲5、田中 勝久1 (1.京大、2.オキサイド、3.セラテックジャパン、4.信州大学、5.立命館大)
キーワード：
酸化ガリウム、ミストCVD
ミストCVD法において、我々は課題であったSi不純物の取り込みを抑え、キャリア密度を1016 cm−3台まで低減することに成功している。本研究では、キャリア密度を低減したβ-Ga2O3薄膜を用いて、縦型ショットキーバリアダイオードの試作し、その電気的特性を評価した。