Presentation Information
[8p-E301-16]Thermal Behavior of the 2.5-eV Optical Defect Level in HVPE-Grown β-Ga2O3 Homoepitaxial Films
〇Yoshitaka Nakano1, Daiki Katsube2, Takashi Ogawa2, Yukari Ishikawa2, Kohei Sasaki3, Akito Kuramata3 (1.Chubu Univ., 2.JFCC, 3.Novel Crystal Technology)
Keywords:
Ga2O3,SSPC,Defect Level
本発表では、β-Ga2O3 (001)ホモエピ膜において光容量過渡分光(SSPC)計測で2.5eV付近に検出される固有欠陥準位について、格子緩和を考慮したSSPC微分スペクトル解析と高温C-t特性から熱的挙動を検討したので報告する。