[8p-E301-1~22] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:30 〜 16:45

[8p-E301-16] HVPE成膜β-Ga₂O₃ホモエピ膜の2.5eV光学欠陥準位の熱的挙動

〇中野 由崇¹、勝部 大樹²、小川 貴史²、石川 由加里²、佐々木 公平³、倉又 朗人³ (1.中部大工、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、光容量過渡分光、欠陥準位

本発表では、β-Ga₂O₃ (001)ホモエピ膜において光容量過渡分光(SSPC)計測で2.5eV付近に検出される固有欠陥準位について、格子緩和を考慮したSSPC微分スペクトル解析と高温C-t特性から熱的挙動を検討したので報告する。