[8p-E308-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-E308-3] Evaluation of Hatch Formation and Strain Relaxation Behavior in SiGe Thin Films Grown on (110)Si Substrates by Cross-Sectional TEM Observation and Micro-Raman Mapping

〇Yuta Ito^1,2, Kiu Inami^1,3, Koji Usuda⁴, Naoto Kumagai^3,5, Toshifumi Irisawa^3,5, Atsushi Ogura^1,4 (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.SFRC, AIST, 4.MREL, 5.LSTC)

Keywords:

(110)SiGe,strain relaxation,twin defect

(110)Si基板上SiGe薄膜に形成されるハッチ構造と歪み緩和挙動との関係を明らかにするため、顕微ラマンマッピングおよび断面TEM観察を行った。TEM観察により、{111}すべり面に起因する転位欠陥と双晶欠陥を確認した。さらに、2-lineハッチと双晶欠陥を伴う特徴的な欠陥構造との関連性を見出し、その形成機構と歪み緩和への寄与について検討した。