講演情報
[8p-E308-3]断面TEM観察および顕微ラマンマッピングによる(110)Si基板上SiGe薄膜のハッチ形成と歪み緩和挙動の評価
〇伊藤 佑太1,2、伊波 希宇1,3、臼田 宏冶4、熊谷 直人3,5、入沢 寿史3,5、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.産総研SFRC、4.明大MREL、5.LSTC)
キーワード：
(110)面SiGe、歪み緩和、双晶
(110)Si基板上SiGe薄膜に形成されるハッチ構造と歪み緩和挙動との関係を明らかにするため、顕微ラマンマッピングおよび断面TEM観察を行った。TEM観察により、{111}すべり面に起因する転位欠陥と双晶欠陥を確認した。さらに、2-lineハッチと双晶欠陥を伴う特徴的な欠陥構造との関連性を見出し、その形成機構と歪み緩和への寄与について検討した。