[8p-E308-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-E308-5] Annihilation Behavior of Void Defects in Si (100) and (110) Wafers during Oxidation by RTP (Ⅱ)

〇(D)Takuya Kusunoki^1,2, Haruo Sudo², Ken Hayakawa², Yuma Kobayashi², Hisashi Matsumura², Koji Sueoka³ (1.Grad. Sch., Okayama Pref. Univ., 2.Global Wafers Japan Co., Ltd., 3.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

Point defect,Rapid Thermal Oxidation,Silicon Crystal Orientation

先端ロジック向けSi(110)ウェーハの高品質化を目的として、ArおよびO₂雰囲気下RTPにおけるボイド欠陥消滅挙動を調査した。Si(100)では酸化により欠陥密度の低減が促進されたのに対し、Si(110)では雰囲気による差異は小さかった。これらの結果から、酸化に伴う格子間Si原子の生成・輸送挙動に結晶面方位依存性が存在することが示唆された。