講演情報
[8p-E308-5]Si (100) および (110) ウェーハの急速熱酸化におけるボイド欠陥消滅挙動 (Ⅱ)
〇(D)楠木 琢也1,2、須藤 治生2、早川 兼2、小林 裕真2、松村 尚2、末岡 浩治3 (1.岡山県大院情報系工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社、3.岡山県大情報工)
キーワード：
点欠陥、急速熱酸化、シリコン結晶面方位
先端ロジック向けSi(110)ウェーハの高品質化を目的として、ArおよびO₂雰囲気下RTPにおけるボイド欠陥消滅挙動を調査した。Si(100)では酸化により欠陥密度の低減が促進されたのに対し、Si(110)では雰囲気による差異は小さかった。これらの結果から、酸化に伴う格子間Si原子の生成・輸送挙動に結晶面方位依存性が存在することが示唆された。