Presentation Information
[8p-E308-6]Theoretical Study of Gettering Effect of BMD Nuclei Introduced in RTP Wafers
〇Hiroya Iwashiro1,2, Hibiki Bekku1, Iori Takeda1, Haruo Sudo2, Ken Hayakawa2, Eiji Kamiyama2, Koji Sueoka3 (1.Graduate School of Computer Science and Systems Engineering, Okayama Prefectural Univ., 2.Global Wafers Japan Co., Ltd., 3.Okayama Prefectural Univ.)
Keywords:
gettering,RTP wafers,BMD nuclei
SiウェーハへのRapid Thermal Process (RTP)処理により導入した高濃度の空孔 (V)はOと結合しており，その主構造はVO4と推測している．昨年，VO4の構造探索により，最安定構造に加え，未結合手を有する3種類の準安定構造を見出した．本年は，見出したVO4とCuの結合エネルギー (Eb) からゲッタリング効果を評価した．その結果，最安定VO4は高いEbを示さない一方，準安定VO4は最大で0.36 eVのEbを示した．