講演情報
[8p-E308-6]RTPウェーハに導入したBMD析出核のゲッタリング効果に関する理論的研究
〇岩城 浩也1,2、別宮 響1、竹田 伊織1、須藤 治生2、早川 兼2、神山 栄治2、末岡 浩治3 (1.岡山県大院情報系工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン（株）、3.岡山県大情報工)
キーワード：
ゲッタリング、RTPウェーハ、BMD析出核
SiウェーハへのRapid Thermal Process (RTP)処理により導入した高濃度の空孔 (V)はOと結合しており，その主構造はVO4と推測している．昨年，VO4の構造探索により，最安定構造に加え，未結合手を有する3種類の準安定構造を見出した．本年は，見出したVO4とCuの結合エネルギー (Eb) からゲッタリング効果を評価した．その結果，最安定VO4は高いEbを示さない一方，準安定VO4は最大で0.36 eVのEbを示した．