[8p-E308-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[8p-E308-7] Numerical Simulation of Recrystallization Behavior in High-Dose Hydrocarbon Molecular-Ion-Implanted Silicon Wafers

〇Kazunari Kurita¹, Hiroki Kondo¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:

silicon wafer,laser annealing,recrystallization

1次元非線形熱伝導シミュレーションにより、パルスレーザーアニール時の温度場を再現した。 最高到達温度は約 1330 K で非溶融条件にあり、多パルス照射により蓄熱が進行することを明らかにした。