[8p-E308-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

15:00 〜 15:15

[8p-E308-7] 数値シミュレーションによる高ドーズ炭化水素分子イオン注入 Si ウェーハの再結晶挙動解析

〇栗田 一成¹、近藤 博基¹ (1.九州大学)

キーワード：

シリコンウェーハ、レーザーアニール、再結晶化

1次元非線形熱伝導シミュレーションにより、パルスレーザーアニール時の温度場を再現した。 最高到達温度は約 1330 K で非溶融条件にあり、多パルス照射により蓄熱が進行することを明らかにした。