Presentation Information
[8p-E308-8]Equilibrium and Kinetic Models for Sb Evaporation during Sb-Doped CZ-Si Growth.
〇Kentaro Takagi1, Shin'ichi Nishizawa2, Ryota Suewaka1 (1.SUMCO Corp., 2.Kyushu Univ.)
Keywords:
simiconductor,silicon,simulation
CZ法で育成したSbドープSi単結晶では、偏析により結晶引上方向の抵抗率制御が課題となる。本研究では、Sb揮発現象を平衡モデルおよびHertz–Knudsen型速度論モデルとしてCFDソフトに実装し、実験値に基づき妥当性を検証した。平衡モデルは実験値を再現できなかった一方、有効揮発係数αを導入した速度論モデルにより実験値を良好に再現できることを示した。