講演情報
[8p-E308-8]SbドープCZ-Si成長におけるSb揮発の平衡・速度論モデルの比較
〇高木 健太郎1、西澤 伸一2、末若 良太1 (1.株式会社SUMCO、2.九州大学)
キーワード：
半導体、シリコン、シミュレーション
CZ法で育成したSbドープSi単結晶では、偏析により結晶引上方向の抵抗率制御が課題となる。本研究では、Sb揮発現象を平衡モデルおよびHertz–Knudsen型速度論モデルとしてCFDソフトに実装し、実験値に基づき妥当性を検証した。平衡モデルは実験値を再現できなかった一方、有効揮発係数αを導入した速度論モデルにより実験値を良好に再現できることを示した。