[8p-N101-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[8p-N101-3] Study of Mg-doped GaN sputtered films using Mg-Ga sputtering targets

〇Ruku Ozaki¹, Junya Iihama¹, Hidehiko Misaki¹, Mirei Tokiwa¹, Yoshihiro Ueoka¹, Masami Mesuda¹ (1.Tosoh corporation)

Keywords:

Gallium nitraide,p-type,sputtetting

スパッタリング法によるGaN成膜は低温・水素フリー等の利点があり、当社ではp型GaN膜向けにMg-Ga系ターゲットを開発した。成膜条件の最適化により膜の結晶性向上が確認された。