[8p-N101-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:00 〜 14:15

[8p-N101-3] Mg-Ga系スパッタリングターゲットを利用したMgドープGaNスパッタ膜の研究

〇尾崎 瑠来¹、飯浜 準也¹、三崎 日出彦¹、常盤 美怜¹、上岡 義弘¹、召田 雅実¹ (1.東ソー株式会社)

キーワード：

窒化ガリウム、p型、スパッタリング

スパッタリング法によるGaN成膜は低温・水素フリー等の利点があり、当社ではp型GaN膜向けにMg-Ga系ターゲットを開発した。成膜条件の最適化により膜の結晶性向上が確認された。