[8p-N102-1~6] Applications of quantum beams to semiconductor process and evaluation technologies

2:30 PM - 3:00 PM JST(5:30 AM - 6:00 AM UTC)

[8p-N102-3] Channeled Mg Ion Implantation into GaN(0001) for GaN Power Device Applications

〇Atsushi Suyama¹, Hideaki Minagawa¹, Masahiko Aoki¹, Kazuhiro Yokota¹ (1.Ion Technology Center, Co., Ltd.)

Keywords:

GaN,Channeled ion implantation,MARLOWE simulation

本講演では、低損傷かつ深い注入層の形成が可能なイオン注入技術として、チャネリング注入について報告する。まず、転位密度の低いGaN-on-GaN基板（～10⁶ cm⁻²）を用い、Mgチャネリング注入による深い注入層形成と、注入条件（注入量およびTilt角）がMg深さ方向プロファイルに及ぼす影響について、実験およびイオン注入シミュレーションツールMARLOWEにより詳細に解析した結果を述べる。さらに、転位密度の高いGaN-on-sapphire基板（～10⁸ cm⁻²）との比較評価を通じて、転位密度がMgチャネリング特性に及ぼす影響を明らかにした結果についても報告する。