講演情報
[8p-N102-3]GaNパワー半導体応用に向けたGaN(0001)へのMgのチャネリングイオン注入
〇須山 篤志1、南川 英輝1、青木 正彦1、横田 一広1 (1.株式会社イオンテクノセンター)
キーワード：
GaN、チャネリングイオン注入、MARLOWEシミュレーション
本講演では、低損傷かつ深い注入層の形成が可能なイオン注入技術として、チャネリング注入について報告する。まず、転位密度の低いGaN-on-GaN基板（～10⁶ cm⁻²）を用い、Mgチャネリング注入による深い注入層形成と、注入条件（注入量およびTilt角）がMg深さ方向プロファイルに及ぼす影響について、実験およびイオン注入シミュレーションツールMARLOWEにより詳細に解析した結果を述べる。さらに、転位密度の高いGaN-on-sapphire基板（～10⁸ cm⁻²）との比較評価を通じて、転位密度がMgチャネリング特性に及ぼす影響を明らかにした結果についても報告する。