Presentation Information
[8p-PB3-26]Investigation of Etching of Molybdenum Disulfide Using M-Oxide
〇(M1)TOYOTAKA SHAMOTO1, TAKUYA SUZUKI1, DAISUKE KIRIYA1 (1.The Univ. of Tokyo)
Keywords:
2D semiconductor
二次元半導体MoS₂は、優れた電気的・光学的特性をもち、次世代デバイス材料として注目されている。デバイス加工において、形状加工を目的としたエッチング技術が重要である。本研究では酸化剤M-Oxideを用いた。機械的剝離でp型Si/SiO2基板に転写したMoS₂に対し酸化を試みた結果、層の部分的エッチングが観察され、M-Oxideが安全かつ有望なMoS₂酸化エッチング試薬となる可能性が示された。