[8p-PB3-1~46] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[8p-PB3-26] モノ過硫酸化化合物によるMoS₂のエッチングに関する検討

〇(M1)社本 豊茂¹、鈴木 啄也¹、桐谷 乃輔¹ (1.東大院総合)

キーワード：

二次元半導体

二次元半導体MoS₂は、優れた電気的・光学的特性をもち、次世代デバイス材料として注目されている。デバイス加工において、形状加工を目的としたエッチング技術が重要である。本研究では酸化剤M-Oxideを用いた。機械的剝離でp型Si/SiO₂基板に転写したMoS₂に対し酸化を試みた結果、層の部分的エッチングが観察され、M-Oxideが安全かつ有望なMoS₂酸化エッチング試薬となる可能性が示された。