Presentation Information
[8p-PB3-36]Fundamental characteristics of selective etching on Ge surface assisted by vapor-phase reduced Graphene Oxide film
〇Keito Hashimoto1, Naoki Kuwata1, Kouji Inagaki1, Kenta Arima1 (1.U Osaka)
Keywords:
reduced graphene,vapor-phase reduction,semiconductor surface
半導体加工法として、ナノカーボンのフレークを用いた選択エッチングが期待されているが、液相還元はGO（酸化グラフェン）溶液の分散性低下によるパターン精度の悪化が課題であった。本研究では、GOで精密なパターンを成型後にヒドラジン蒸気で気相還元する手法を提案した。XPS測定より膜への窒素ドープと高還元度が実証され、触媒の形状を維持したまま、酸素還元反応の活性化によりエッチングレートを約2倍に向上させた。