講演情報
[8p-PB3-36]気相還元グラフェン成型膜を触媒としたGe表面の選択エッチング
〇橋本 圭人1、桑田 直希1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
キーワード：
還元グラフェン、気相還元、半導体表面
半導体加工法として、ナノカーボンのフレークを用いた選択エッチングが期待されているが、液相還元はGO（酸化グラフェン）溶液の分散性低下によるパターン精度の悪化が課題であった。本研究では、GOで精密なパターンを成型後にヒドラジン蒸気で気相還元する手法を提案した。XPS測定より膜への窒素ドープと高還元度が実証され、触媒の形状を維持したまま、酸素還元反応の活性化によりエッチングレートを約2倍に向上させた。